SM3316NSQA Todos los transistores

 

SM3316NSQA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM3316NSQA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3A-8
 

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SM3316NSQA Datasheet (PDF)

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SM3316NSQA

SM3316NSQAN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/25A,DDRDS(ON) =16m(max.) @ VGS =10VRDS(ON) =21.5m(max.) @ VGS =4.5VGSSS 100% UIS + Rg TestedDFN3x3A-8_EP Avalanche Rated Reliable and Rugged(5,6,7,8)D D DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications (4) G Power Management in Notebook Computer,

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SM3316NSQA

SM3316NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD 30V/25A, DRDS(ON) =16m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) =21.5m (max.) @ VGS =4.5VGSSS Avalanche RatedDFN3x3D-8_EP 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged(5,6,7,8)D D DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications (4) G Power Management in Notebook Computer,Port

 8.1. Size:856K  globaltech semi
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SM3316NSQA

GSM3316W GSM3316W 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3316W, N-Channel enhancement mode 60V/8A,RDS(ON)=140m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/6A,RDS(ON)=148m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited

 9.1. Size:145K  sino
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SM3316NSQA

SM3313PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDDD -12V/-37A,RDS(ON) =14m(max.) @ VGS =-4.5VRDS(ON) =19m(max.) @ VGS =-2.5VSGSSRDS(ON) =26m(max.) @ VGS =-1.8VDFN3x3D-8_EPRDS(ON) =36m(max.) @ VGS =-1.5V 100% UIS + Rg Tested( 5,6,7,8 )D D D D Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(4)

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History: SSM70T03H | IRLI630G

 

 
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