MXP43P9AT Todos los transistores

 

MXP43P9AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MXP43P9AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 116 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 462 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

MXP43P9AT Datasheet (PDF)

 0.1. Size:290K  maxpower
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MXP43P9AT

MXP43P9ATMXP43P9AFMXP43P9AE40V N-Channel MOSFETApplications: Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 40V 3.9m 116A DC-AC InvertersFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS RuggednessOrdering InformationPark Number Package BrandMXP43P9AT TO220 Pin Def

 6.1. Size:251K  maxpower
 mxp43p9ad.pdf pdf_icon

MXP43P9AT

MXP43P9AD40V N-Channel MOSFETApplications: Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 40V 3.9m 116A DC-AC InvertersFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS RuggednessOrdering InformationPark Number Package Brand Pin Definition and Inner Circuit MXP43P9AD T

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History: ELM53400CA | ET6309 | OSG65R099KT3ZF | IRF8852 | AP2312GN | APM4472K | IXTA140P05T

 

 
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