MXP43P9AT Todos los transistores

 

MXP43P9AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MXP43P9AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 116 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 59 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 462 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0039 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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MXP43P9AT Datasheet (PDF)

1.1. mxp43p9at-af-ae.pdf Size:290K _maxpower

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MXP43P9AT MXP43P9AF MXP43P9AE 40V N-Channel MOSFET Applications: ● Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID ● DC-DC Converters 40V 3.9mΩ 116A ● DC-AC Inverters Features: ● Lead Free ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness Ordering Information Park Number Package Brand MXP43P9AT TO220 Pin Def

2.1. mxp43p9ad.pdf Size:251K _maxpower

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MXP43P9AD 40V N-Channel MOSFET Applications: ● Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID ● DC-DC Converters 40V 3.9mΩ 116A ● DC-AC Inverters Features: ● Lead Free ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness Ordering Information Park Number Package Brand Pin Definition and Inner Circuit MXP43P9AD T

 

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