MXP43P9AT Todos los transistores

 

MXP43P9AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MXP43P9AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 116 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 462 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: TO220

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MXP43P9AT datasheet

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MXP43P9AT

MXP43P9AT MXP43P9AF MXP43P9AE 40V N-Channel MOSFET Applications Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 40V 3.9m 116A DC-AC Inverters Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Ruggedness Ordering Information Park Number Package Brand MXP43P9AT TO220 Pin Def

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MXP43P9AT

MXP43P9AD 40V N-Channel MOSFET Applications Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 40V 3.9m 116A DC-AC Inverters Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Ruggedness Ordering Information Park Number Package Brand Pin Definition and Inner Circuit MXP43P9AD T

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