MXP4004BE Todos los transistores

 

MXP4004BE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MXP4004BE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 787 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-3L
 

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MXP4004BE Datasheet (PDF)

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MXP4004BE

MXP4004BT/BE Datasheet 40V N-Channel MOSFET Applications: Power Supply VDSS RDS(ON) (Max) IDa DC-DC Converters 40 V 4.0 m 173 AFeatures: LeadFree Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Change for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Part Number Package Brand MXP4004BT TO220 MXP MXP4004BE TO263 MXP TO

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MXP4004BE

MXP4004BTMXP4004BFMXP4004BE40V N-Channel MOSFETApplications: Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 40V 3m 170A DC-AC InvertersFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS RuggednessOrdering InformationPark Number Package BrandMXP4004BT TO220 Pin Defin

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MXP4004BE

MXP4004AT Datasheet 40V N-Channel MOSFET Applications: Power Supply VDSS RDS(ON) (Max) IDa DC-DC Converters 40 V 4.0 m 158 A Features: LeadFree Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Change for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Part Number Package Brand MXP4004AT TO220 MXP Absolute Maxim

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History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
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