MXP6008CT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MXP6008CT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 109 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 435 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MXP6008CT MOSFET
Principales características: MXP6008CT
mxp6008ct.pdf
MXP6008CT Datasheet N-Channel MOSFET Applications a Power Supply VDSS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 60V 8m 109A Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Park Number Package Brand MXP6008CT TO-220 MXP TC=25 unless otherwise specified A
mxp6006ct.pdf
MXP6006CT Preliminary Datasheet 60V N-Channel MOSFET Applications Power Supply VDSS RDS(ON) (Max) IDa DC-DC Converters 60 V 6.0 m 116 A Features LeadFree Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Change for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Part Number Package Brand MXP6006CT TO220 MXP Absolute Maximu
mxp6006dt-df.pdf
MXP6006DT, MXP6006DF Datasheet 60V N-Channel MOSFET Applications a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 60V 6m 115A Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Capability Ordering Information Park Number Package Brand MXP6006DT TO-220 MXP TO-263 TO-263 MXP M
Otros transistores... MXP4002AE , MXP4002AF , MXP4002AT , MXP4003CTS , MXP4004AT , MXP4004BE , MXP4004BF , MXP4004BT , 2SK3878 , MXP6010CTS , MXP6018CD , MXP6018CT , MXP1018CT , MXP3007CT , MXP3007CD , MXP4005CT , MXP5504CT .
Liste
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