APM2605C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM2605C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM2605C

APM2605C Datasheet (PDF)

..1. Size:305K sino
apm2605c.pdf

APM2605CP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4.5A,SRDS(ON)=43m (typ.) @ VGS=-10V DDGRDS(ON)=60m (typ.) @ VGS=-4.5VDD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23-6(RoHS Compliant)(4)SApplications(3)G Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery PoweredSystems.D D D

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AP9974GS | 2SK2684

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: