APM2605C Todos los transistores

 

APM2605C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APM2605C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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APM2605C datasheet

 ..1. Size:305K  sino
 apm2605c.pdf pdf_icon

APM2605C

APM2605C P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30V/-4.5A, S RDS(ON)=43m (typ.) @ VGS=-10V D D G RDS(ON)=60m (typ.) @ VGS=-4.5V D D Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of SOT-23-6 (RoHS Compliant) (4) S Applications (3) G Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Powered Systems. D D D

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History: PJM3401PSA | CS8N80A8H | CS8N60ARD | AP4532GM-HF

 

 

 

 

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