APM3095PU Todos los transistores

 

APM3095PU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APM3095PU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

APM3095PU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  anpec
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APM3095PU

APM3095PUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-8A, RDS(ON)=95m (typ.) @ VGS=-10VG D RDS(ON)=140m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell DesignS Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free Available (RoHS Compliant)SApplications Power Management in Desktop Computer orG DC/DC ConvertersDP-Channel MOSFETOrdering and

 ..2. Size:173K  sino
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APM3095PU

APM3095PU P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-8A,D RDS(ON)=95m (typ.) @ VGS=-10VSRDS(ON)=140m (typ.) @ VGS=-4.5VG 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged Top View of TO-252-2 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)D ESD ProtectionApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.

 9.1. Size:723K  anpec
apm3009n.pdf pdf_icon

APM3095PU

APM3009N N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/70A , RDS(ON)=7m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=11m(typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Advanced Cell Design forExtremely Low RDS(ON) Reliable and Rugged1 2 3 TO-220 , TO-252 and TO-263 PackagesG D SApplications Top View of TO-220, TO

 9.2. Size:212K  anpec
apm3023n.pdf pdf_icon

APM3095PU

APM3023N N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/30A, RDS(ON)=15m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=22m(typ.) @ VGS=5V Super High Dense Cell Design1 2 31 2 3 High Power and Current Handling CapabilityG D S TO-252.TO-220 and SOT-223 Packages G D S Top View of SOT-223 Top View of TO-25

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History: BLM6G10-30 | S80N08R | FDMS7600AS | AOB190A60L | AP2312GN | IRF7705GPBF | CHM6426XGP

 

 
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