SM1F33PSU Todos los transistores

 

SM1F33PSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM1F33PSU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SM1F33PSU Datasheet (PDF)

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sm1f33psu.pdf

SM1F33PSU
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SM1F33PSUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -150V/-10A,DRDS(ON)= 290m (max.) @ VGS=-10VS 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252-2 (RoHS Compliant)DApplications Power Management for Industrial DC / DCG Converters. Load switch.SP-Channel MOSFETOrdering and Marking Informa

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