SM1F33PSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM1F33PSU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
- Selección de transistores por parámetros
SM1F33PSU Datasheet (PDF)
sm1f33psu.pdf

SM1F33PSUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -150V/-10A,DRDS(ON)= 290m (max.) @ VGS=-10VS 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252-2 (RoHS Compliant)DApplications Power Management for Industrial DC / DCG Converters. Load switch.SP-Channel MOSFETOrdering and Marking Informa
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History: IPB60R190C6 | FCH20N60 | VBZE50P03
History: IPB60R190C6 | FCH20N60 | VBZE50P03



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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