SM1F33PSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM1F33PSU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 73 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 20 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 82 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.29 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SM1F33PSU Datasheet (PDF)
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SM1F33PSUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -150V/-10A,DRDS(ON)= 290m (max.) @ VGS=-10VS 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252-2 (RoHS Compliant)DApplications Power Management for Industrial DC / DCG Converters. Load switch.SP-Channel MOSFETOrdering and Marking Informa
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