IRF7524D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7524D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.7(min) VQgⓘ - Carga de la puerta: 5.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de IRF7524D1 MOSFET
IRF7524D1 Datasheet (PDF)
irf7524d1.pdf

PD -91648CPRELIMINARYIRF7524D1FETKYTM MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power1 8A KMOSFET and Schottky DiodeVDSS = -20V2 7 P-Channel HEXFET A K Low VF Schottky Rectifier3 6S DRDS(on) = 0.27 Generation 5 Technology45TM G D Micro8 FootprintSchottky Vf = 0.39VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky d
irf7524d1pbf.pdf

PD -95242IRF7524D1PbFFETKYTM MOSFET & Schottky Diodel Co-packaged HEXFET Power1 8A KMOSFET and Schottky DiodeVDSS = -20V2 7l P-Channel HEXFET A Kl Low VF Schottky Rectifier3 6S DRDS(on) = 0.27l Generation 5 Technology45TM G Dl Micro8 FootprintSchottky Vf = 0.39Vl Lead-FreeTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Scho
irf7524d1gpbf.pdf

PD -96176IRF7524D1GPbFFETKYTM MOSFET & Schottky Diodel Co-packaged HEXFET Power1 8MOSFET and Schottky Diode KAVDSS = -20Vl P-Channel HEXFET2 7A Kl Low VF Schottky Rectifier3 6S Dl Generation 5 Technology RDS(on) = 0.27TM45l Micro8 FootprintG Dl Lead-FreeSchottky Vf = 0.39Vl Halogen-Free Top ViewDescriptionThe FETKYTM family of co-packaged H
irf7523d1.pdf

PD- 91647CIRF7523D1 FETKY MOSFET / Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power MOSFET1 8A Kand Schottky DiodeVDSS = 30V2 7 N-Channel HEXFETA K Low VF Schottky Rectifier3 6 RDS(on) = 0.11S D Generation 5 Technology45TMG D Micro8 FootprintSchottky Vf = 0.39VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schott
Otros transistores... IRF744 , NCEP85T16D , NCEP85T25D , NCEP85T25T , NCEP85T35T , IRF750A , IRF7521D1 , IRF7523D1 , AON7410 , IRF7526D1 , IRF7555 , IRF7601 , IRF7603 , IRF7604 , IRF7606 , IRF7663 , IRF7805 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b