IRF7526D1 Todos los transistores

 

IRF7526D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7526D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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IRF7526D1 datasheet

 ..1. Size:145K  international rectifier
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IRF7526D1

PD -95437 IRF7526D1PbF FETKY TM MOSFET & Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode 1 8 A K l P-Channel HEXFET VDSS = -30V 2 7 l Low VF Schottky Rectifier A K l Generation 5 Technology 3 6 S D RDS(on) = 0.20 TM l Micro8 Footprint 4 5 G D l Lead-Free Schottky Vf = 0.39V Description Top View The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schot

 ..2. Size:120K  international rectifier
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IRF7526D1

PD -91649C IRF7526D1 FETKY TM MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -30V 2 7 A K P-Channel HEXFET 3 6 Low VF Schottky Rectifier S D RDS(on) = 0.20 Generation 5 Technology 4 5 G D TM Micro8 Footprint Schottky Vf = 0.39V Description Top View The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer th

 8.1. Size:204K  international rectifier
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IRF7526D1

PD- 91647C IRF7523D1 FETKY MOSFET / Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power MOSFET 1 8 A K and Schottky Diode VDSS = 30V 2 7 N-Channel HEXFET A K Low VF Schottky Rectifier 3 6 RDS(on) = 0.11 S D Generation 5 Technology 4 5 TM G D Micro8 Footprint Schottky Vf = 0.39V Top View Description The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schott

 8.2. Size:197K  international rectifier
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IRF7526D1

PD -96176 IRF7524D1GPbF FETKYTM MOSFET & Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power 1 8 MOSFET and Schottky Diode K A VDSS = -20V l P-Channel HEXFET 2 7 A K l Low VF Schottky Rectifier 3 6 S D l Generation 5 Technology RDS(on) = 0.27 TM 4 5 l Micro8 Footprint G D l Lead-Free Schottky Vf = 0.39V l Halogen-Free Top View Description The FETKYTM family of co-packaged H

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