SM2223PSQG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM2223PSQG
   Código: 2223B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 612 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0138 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2A-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM2223PSQG

SM2223PSQG Datasheet (PDF)

..1. Size:183K sino
sm2223psqg.pdf

SM2223PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD -12V/-11A,DDRDS(ON) = 13.8m(max.) @ VGS =-4.5VRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-2.5V SGPin 1DDRDS(ON) = 26m(max.) @ VGS =-1.8VRDS(ON) = 36m(max.) @ VGS =-1.5VDFN2x2-6 Reliable and Rugged(1,2,5,6)DD DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G

9.1. Size:284K sino
sm2225nsqg.pdf

SM2225NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 100V/2.7A,DD RDS(ON)= 156m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 176m (max.) @ VGS=4.5VGSDPin 1D ESD ProtectionDFN2x2A-6_EP 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged(1,2,5,6)DDDD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G For POE Power Primary Side Switch for

9.2. Size:292K sino
sm2222csqg.pdf

SM2222CSQG Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 20V/4.5A,S2G2D1D1 RDS(ON)= 32m (max.) @ VGS=4.5VD2 RDS(ON)= 48.6m (max.) @ VGS=2.5VD2 RDS(ON)= 85m (max.) @ VGS=1.8VG1Pin 1S1 P-ChannelDFN2x2C-6_EP2 -20V/-2.7A, RDS(ON)= 85m (max.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)= 127m (max.) @ VGS=-2.5V(3)D2(6)D1RDS(ON)= 230m (max.)

9.3. Size:217K sino
sm2221csqg.pdf

SM2221CSQG Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 12V/6.8A,S2G2D1D1 RDS(ON)= 21m(max.) @ VGS=4.5VD2 RDS(ON)= 27m(max.) @ VGS=2.5VD2 RDS(ON)= 39m(max.) @ VGS=1.8VG1Pin 1S1 RDS(ON)= 62m(max.) @ VGS=1.5VDFN2x2-6 P-Channel -12V/-4.4A, RDS(ON)= 50m(max.) @ VGS=-4.5V(3)D2(6)D1 RDS(ON)= 65

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: