SM4050PSV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4050PSV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 153 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4050PSV

SM4050PSV Datasheet (PDF)

..1. Size:271K sino
sm4050psv.pdf

SM4050PSV P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -40V/-6.2A,RDS(ON) = 45m (max.) @ VGS =-10VGDRDS(ON) = 68m (max.) @ VGS =-4.5VS Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View SOT-223(RoHS Compliant)DGApplications Power Management in LCD/TV Inverter.SP-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeSM405

6.1. Size:261K sino
sm4050psk.pdf

SM4050PSK P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD -40V/-6.2A, DRDS(ON) = 45m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 68m (max.) @ VGS =-4.5VSSS Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available Top View of SOP-8(RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )D D D D(4)ApplicationsG Power Management in LCD/TV Inverter.S S S(1, 2, 3)P-Channel MOSFET

9.1. Size:778K huashuo
hsm4052.pdf

HSM4052 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4052 is the high cell density trenched N-VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 6.9 m converter applications. ID 14 A The HSM4052 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

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Liste

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