IRF7604 Todos los transistores

 

IRF7604 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7604
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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IRF7604 datasheet

 ..1. Size:134K  international rectifier
 irf7604.pdf pdf_icon

IRF7604

PD - 9.1263E IRF7604 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology A 1 8 Ultra Low On-Resistance S D P-Channel MOSFET VDSS = -20V 2 7 S D Very Small SOIC Package 3 6 S D Low Profile (

 8.1. Size:1300K  international rectifier
 irf7603pbf.pdf pdf_icon

IRF7604

PD- 95347 IRF7603PbF Lead-Free www.irf.com 1 02/22/05 IRF7603PbF 2 www.irf.com IRF7603PbF www.irf.com 3 IRF7603PbF 4 www.irf.com IRF7603PbF www.irf.com 5 IRF7603PbF 6 www.irf.com IRF7603PbF Micro8 Package Outline Dimensions are shown in milimeters (inches) LEAD ASSIGNMENTS INCHES MILLIMETERS D DIM MIN MAX MIN MAX 3 - B - D D D D D1 D1 D2 D2 A .036 .044 0.91

 8.2. Size:116K  international rectifier
 irf7601.pdf pdf_icon

IRF7604

PD - 9.1261D IRF7601 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology A A Ultra Low On-Resistance 1 8 S D N-Channel MOSFET VDSS = 20V 2 7 S D Very Small SOIC Package 3 6 Low Profile (

 8.3. Size:113K  international rectifier
 irf7603.pdf pdf_icon

IRF7604

PD - 9.1262D IRF7603 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology A A 1 8 Ultra Low On-Resistance S D N-Channel MOSFET VDSS = 30V 2 7 S D Very Small SOIC Package 3 6 S D Low Profile (

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History: RQK0603CGDQA

 

 

 


 
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