SM3095PSD Todos los transistores

 

SM3095PSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM3095PSD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

SM3095PSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  sino
 sm3095psd.pdf pdf_icon

SM3095PSD

SM3095PSD P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4.4A,SRDS(ON) = 55m(max.) @ VGS = -10VDRDS(ON) = 80m(max.) @ VGS = -4.5VG 100% UIS + Rg TestedTop View of SOT-89 Reliable and Rugged(2) Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant) ESD Protection(1)GApplications Power Management in Notebook Computer,SPortable E

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History: AUIRF1324S | DMN2170U | HGN080N10AL | AOUS66414 | WMJ12N120D1 | AOB66919L | IRFB4310ZGPBF

 

 
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