SM2413PSAN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM2413PSAN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.073 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23N

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM2413PSAN

SM2413PSAN Datasheet (PDF)

..1. Size:163K sino
sm2413psan.pdf

SM2413PSAN P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD -20V/-3.5A,RDS(ON)= 73m (Max.) @ VGS=-4.5VSRDS(ON)= 110m (Max.) @ VGS=-2.5VGRDS(ON)= 193m (Max.) @ VGS=-1.8V Reliable and RuggedTop View of SOT-23N Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and

9.1. Size:258K sino
sm2416nsan.pdf

SM2416NSAN N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/0.83A , RDS(ON)=700m (max.) @ VGS=4.5VSRDS(ON)=1000m (max.) @ VGS=2.5VGRDS(ON)=1600m (max.) @ VGS=1.8V Reliable and RuggedTop View of SOT-23N Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant) ESD ProtectionGApplications High Speed and Analog Switching Applications.S Low volta

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: