SM2413PSAN Todos los transistores

 

SM2413PSAN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM2413PSAN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.073 Ohm

Encapsulados: SOT23N

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SM2413PSAN datasheet

 ..1. Size:163K  sino
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SM2413PSAN

SM2413PSAN P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D -20V/-3.5A, RDS(ON)= 73m (Max.) @ VGS=-4.5V S RDS(ON)= 110m (Max.) @ VGS=-2.5V G RDS(ON)= 193m (Max.) @ VGS=-1.8V Reliable and Rugged Top View of SOT-23N Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D Applications G Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and

 9.1. Size:258K  sino
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SM2413PSAN

SM2416NSAN N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 30V/0.83A , RDS(ON)=700m (max.) @ VGS=4.5V S RDS(ON)=1000m (max.) @ VGS=2.5V G RDS(ON)=1600m (max.) @ VGS=1.8V Reliable and Rugged Top View of SOT-23N Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) ESD Protection G Applications High Speed and Analog Switching Applications. S Low volta

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History: PCJ3139K | DMP1045U | WSD2018BDN22 | TSF50N06M | 7240 | MMF60R280QTH | AOC3870

 

 

 

 

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