SM1620CSCS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM1620CSCS
   Código: M20*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20(12) V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12(8) V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.91(0.86) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18(44) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24(0.29) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM1620CSCS

SM1620CSCS Datasheet (PDF)

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sm1620cscs.pdf

SM1620CSCS Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 20V/0.91A,S2 RDS(ON)= 240m (max.) @ VGS=4.5VG2D2 RDS(ON)= 320m (max.) @ VGS=2.5VD1G1S1 P-Channel-12V/-0.86A,Top View of SOT-363RDS(ON)= 290m (max.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)= 400m (max.) @ VGS=-2.5V(3)D2(6)D1RDS(ON)= 530m (max.) @ VGS=-1.8V Reliable and Rugged Lead

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History: IRFS541

Liste

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