SM1A40CSQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM1A40CSQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.79 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3(1.6) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.162(0.35) Ohm
Encapsulados: DFN3X3C-8
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SM1A40CSQ datasheet
sm1a40csq.pdf
SM1A40CSQ Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N Channel 100V/2.3A, D2 D1D2 D1 RDS(ON) = 162m (max.) @ VGS = 10V G2 RDS(ON) = 182m (max.) @ VGS = 4.5V S2 S1G1 RDS(ON) = 203m (max.) @ VGS = 4.0V P Channel Top View of DFN3x3C-8 -100V/-1.6A, RDS(ON) = 350m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5) D1 D1 D2 D2 RDS(ON) = 405m (max.) @ VGS =-4.5V
sm1a40csk.pdf
SM1A40CSK Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N Channel D1 D1 D2 100V/2.5A, D2 RDS(ON) = 155m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 175m (max.) @ VGS = 4.5V S1 G1 RDS(ON) = 195m (max.) @ VGS = 4.0V S2 G2 P Channel Top View of SOP-8 -100V/-1.7A, RDS(ON) = 345m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5) D1 D1 D2 D2 RDS(ON) = 400m (max.)
sm1a42csk.pdf
SM1A42CSK Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N Channel D1 D1 D2 100V/2.5A, D2 RDS(ON) = 150m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 170m (max.) @ VGS = 4.5V S1 G1 P Channel S2 G2 -100V/-2.2A, Top View of SOP-8 RDS(ON) = 205m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5) RDS(ON) = 240m (max.) @ VGS =-4.5V D1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg Tested
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History: BRCS20P04DP | RTE002P02
History: BRCS20P04DP | RTE002P02
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Liste
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