SM2222CSQG Todos los transistores

 

SM2222CSQG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2222CSQG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5(2.7) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61(75) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032(0.085) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2C-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SM2222CSQG Datasheet (PDF)

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sm2222csqg.pdf pdf_icon

SM2222CSQG

SM2222CSQG Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 20V/4.5A,S2G2D1D1 RDS(ON)= 32m (max.) @ VGS=4.5VD2 RDS(ON)= 48.6m (max.) @ VGS=2.5VD2 RDS(ON)= 85m (max.) @ VGS=1.8VG1Pin 1S1 P-ChannelDFN2x2C-6_EP2 -20V/-2.7A, RDS(ON)= 85m (max.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)= 127m (max.) @ VGS=-2.5V(3)D2(6)D1RDS(ON)= 230m (max.)

 9.1. Size:284K  sino
sm2225nsqg.pdf pdf_icon

SM2222CSQG

SM2225NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 100V/2.7A,DD RDS(ON)= 156m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 176m (max.) @ VGS=4.5VGSDPin 1D ESD ProtectionDFN2x2A-6_EP 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged(1,2,5,6)DDDD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G For POE Power Primary Side Switch for

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sm2223psqg.pdf pdf_icon

SM2222CSQG

SM2223PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD -12V/-11A,DDRDS(ON) = 13.8m(max.) @ VGS =-4.5VRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-2.5V SGPin 1DDRDS(ON) = 26m(max.) @ VGS =-1.8VRDS(ON) = 36m(max.) @ VGS =-1.5VDFN2x2-6 Reliable and Rugged(1,2,5,6)DD DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G

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sm2221csqg.pdf pdf_icon

SM2222CSQG

SM2221CSQG Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 12V/6.8A,S2G2D1D1 RDS(ON)= 21m(max.) @ VGS=4.5VD2 RDS(ON)= 27m(max.) @ VGS=2.5VD2 RDS(ON)= 39m(max.) @ VGS=1.8VG1Pin 1S1 RDS(ON)= 62m(max.) @ VGS=1.5VDFN2x2-6 P-Channel -12V/-4.4A, RDS(ON)= 50m(max.) @ VGS=-4.5V(3)D2(6)D1 RDS(ON)= 65

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSG4825P | KIA2N60H-220 | RU60120R | AM50N10-14I | CI47N65 | AP4506GEM | STV50N05

 

 
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