SM4066CSK Todos los transistores

 

SM4066CSK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM4066CSK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5(7.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98(95) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038(0.021) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SM4066CSK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  sino
 sm4066csk.pdf pdf_icon

SM4066CSK

SM4066CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N ChannelD1D2D240V/7.5A,RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 25m (max.) @ VGS = 4.5VG1S2 P ChannelG2-40V/-5.5A,Top View of SOP-8RDS(ON) = 38m (max.) @ VGS =-10V(8) (7)(6) (5)D1 D1RDS(ON) = 62m (max.) @ VGS =-4.5VD2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru

 6.1. Size:288K  sino
 sm4066csu4.pdf pdf_icon

SM4066CSK

SM4066CSU4Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N Channel D1D240V/20A,RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10VS1G1RDS(ON) = 25m (max.) @ VGS = 4.5VS2G2 P ChannelTop View of TO-252-4-40V/-20A,RDS(ON) = 38m (max.) @ VGS =-10V(3) (3)RDS(ON) = 62m (max.) @ VGS =-4.5V D2D1 100% UIS Tested Reliable and Rugged(2)(5) Lead Free A

 9.1. Size:742K  huashuo
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SM4066CSK

HSM4062 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Features Product Summary Advanced Trench MOS Technology VDS 40 V Low Gate Charge RDS(ON),typ 12.5 m 100% EAS Guaranteed Green Device Available ID 9.5 A Applications Power Management Functions SOP8 Pin Configuration DC-DC Converters. Backlighting. Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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