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SM6041CSK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM6041CSK

Código: 6041

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.1(3.7) A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70(66) pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04(0.095) Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM6041CSK

 

SM6041CSK Datasheet (PDF)

1.1. sm6041csk.pdf Size:305K _sino

SM6041CSK
SM6041CSK

SM6041CSK ® Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description N-Channel D1 D1 60V/5.1A, D2 D2 RDS(ON) =40m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) =48m (max.) @ VGS = 4.5V S1 P-Channel G1 S2 G2 -60V/-3.7A, RDS(ON) =95m (max.) @ VGS =-10V Top View of SOP 8 RDS(ON) =130m (max.) @ VGS =-4.5V Reliable and Rugged (8) (7) (6) (5) D1 D1 D2 D2 Lead Free and Gre

5.1. sm6043csq.pdf Size:268K _sino

SM6041CSK
SM6041CSK

SM6043CSQ ® Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N Channel 60V/3.6A, D2 D1D2 D1 RDS(ON) = 65m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 78m (max.) @ VGS = 4.5V G2 S2 S1G1 P Channel Top View of DFN3x3C-8 -60V/-2.5A, RDS(ON) = 137m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5) RDS(ON) = 180m (max.) @ VGS =-4.5V D1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru

5.2. sm6042csu4.pdf Size:215K _sino

SM6041CSK
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SM6042CSU4 ® Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description • N-Channel D1 60V/20A, D2 RDS(ON) =48mΩ(max.) @ VGS = 10V RDS(ON) =59mΩ(max.) @ VGS = 4.5V S1 G1 P-Channel S2 G2 -60V/-15A, Top View of TO-252-4 RDS(ON) =95mΩ(max.) @ VGS =-10V RDS(ON) =130mΩ(max.) @ VGS =-4.5V (3) (3) Reliable and Rugged D1 D2 Lead Free and Green Devic

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