SM6041CSK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM6041CSK  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1(3.7) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70(66) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04(0.095) Ohm

Encapsulados: SOP8

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SM6041CSK datasheet

 ..1. Size:305K  sino
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SM6041CSK

SM6041CSK Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description N-Channel D1 D1 60V/5.1A, D2 D2 RDS(ON) =40m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) =48m (max.) @ VGS = 4.5V S1 P-Channel G1 S2 G2 -60V/-3.7A, RDS(ON) =95m (max.) @ VGS =-10V Top View of SOP 8 RDS(ON) =130m (max.) @ VGS =-4.5V Reliable and Rugged (8) (7) (6) (5) D1 D1 D2 D2 Lead Free and Gre

 9.1. Size:215K  sino
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SM6041CSK

SM6042CSU4 Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description N-Channel D1 60V/20A, D2 RDS(ON) =48m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) =59m (max.) @ VGS = 4.5V S1 G1 P-Channel S2 G2 -60V/-15A, Top View of TO-252-4 RDS(ON) =95m (max.) @ VGS =-10V RDS(ON) =130m (max.) @ VGS =-4.5V (3) (3) Reliable and Rugged D1 D2 Lead Free and Green Devic

 9.2. Size:268K  sino
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SM6041CSK

SM6043CSQ Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N Channel 60V/3.6A, D2 D1D2 D1 RDS(ON) = 65m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 78m (max.) @ VGS = 4.5V G2 S2 S1G1 P Channel Top View of DFN3x3C-8 -60V/-2.5A, RDS(ON) = 137m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5) RDS(ON) = 180m (max.) @ VGS =-4.5V D1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru

Otros transistores... SM4600CSK, SM4601CSK, SM8401CSQ, SM8403CSQ, SM8404CSQ, SM8404CSQA, SM4603CSK, SM4901CSK, 20N60, SM6043CSQ, SM7308CSKP, RFL1N08, RFL1N10, RFL1N18, RFL1N18L, RFL1N20, RFL1N20L