SM6041CSK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM6041CSK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1(3.7) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70(66) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04(0.095) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM6041CSK

SM6041CSK Datasheet (PDF)

..1. Size:305K sino
sm6041csk.pdf

SM6041CSK Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-ChannelD1D1 60V/5.1A,D2D2 RDS(ON) =40m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) =48m (max.) @ VGS = 4.5VS1 P-Channel G1S2G2 -60V/-3.7A, RDS(ON) =95m (max.) @ VGS =-10VTop View of SOP 8 RDS(ON) =130m (max.) @ VGS =-4.5V Reliable and Rugged (8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2 Lead Free and Gre

9.1. Size:215K sino
sm6042csu4.pdf

SM6042CSU4 Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-ChannelD1 60V/20A,D2 RDS(ON) =48m(max.) @ VGS = 10V RDS(ON) =59m(max.) @ VGS = 4.5VS1G1 P-ChannelS2G2-60V/-15A,Top View of TO-252-4 RDS(ON) =95m(max.) @ VGS =-10V RDS(ON) =130m(max.) @ VGS =-4.5V(3) (3) Reliable and RuggedD1 D2 Lead Free and Green Devic

9.2. Size:268K sino
sm6043csq.pdf

SM6043CSQDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N Channel60V/3.6A,D2D1D2D1RDS(ON) = 65m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 78m (max.) @ VGS = 4.5V G2S2S1G1 P Channel Top View of DFN3x3C-8-60V/-2.5A,RDS(ON) = 137m (max.) @ VGS =-10V(8) (7) (6) (5)RDS(ON) = 180m (max.) @ VGS =-4.5VD1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru

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Liste

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