SM6043CSQ Todos los transistores

 

SM6043CSQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM6043CSQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6(2.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40(41) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065(0.137) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3C-8
 

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SM6043CSQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  sino
 sm6043csq.pdf pdf_icon

SM6043CSQ

SM6043CSQDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N Channel60V/3.6A,D2D1D2D1RDS(ON) = 65m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 78m (max.) @ VGS = 4.5V G2S2S1G1 P Channel Top View of DFN3x3C-8-60V/-2.5A,RDS(ON) = 137m (max.) @ VGS =-10V(8) (7) (6) (5)RDS(ON) = 180m (max.) @ VGS =-4.5VD1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru

 9.1. Size:215K  sino
 sm6042csu4.pdf pdf_icon

SM6043CSQ

SM6042CSU4 Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-ChannelD1 60V/20A,D2 RDS(ON) =48m(max.) @ VGS = 10V RDS(ON) =59m(max.) @ VGS = 4.5VS1G1 P-ChannelS2G2-60V/-15A,Top View of TO-252-4 RDS(ON) =95m(max.) @ VGS =-10V RDS(ON) =130m(max.) @ VGS =-4.5V(3) (3) Reliable and RuggedD1 D2 Lead Free and Green Devic

 9.2. Size:305K  sino
 sm6041csk.pdf pdf_icon

SM6043CSQ

SM6041CSK Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-ChannelD1D1 60V/5.1A,D2D2 RDS(ON) =40m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) =48m (max.) @ VGS = 4.5VS1 P-Channel G1S2G2 -60V/-3.7A, RDS(ON) =95m (max.) @ VGS =-10VTop View of SOP 8 RDS(ON) =130m (max.) @ VGS =-4.5V Reliable and Rugged (8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2 Lead Free and Gre

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