AM4410N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM4410N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 12.5 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 412 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0135 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM4410N
AM4410N Datasheet (PDF)
am4410n.pdf
Analog Power AM4410NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 13.5 @ VGS = 10V 13converters and power management in portable and 3020 @ VGS = 4.5V 11battery
am4417p.pdf
Analog Power AM4417PP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)17 @ VGS = -10V -11.1 Low thermal impedance -6023 @ VGS = -4.5V -9.5 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM
am4415p.pdf
Analog Power AM4415PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)8.4 @ VGS = -4.5V -16 Low thermal impedance -2010.4 @ VGS = -2.5V -14 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI
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