AM4410N Todos los transistores

 

AM4410N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM4410N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 412 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AM4410N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  analog power
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AM4410N

Analog Power AM4410NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 13.5 @ VGS = 10V 13converters and power management in portable and 3020 @ VGS = 4.5V 11battery

 9.1. Size:321K  analog power
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AM4410N

Analog Power AM4417PP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)17 @ VGS = -10V -11.1 Low thermal impedance -6023 @ VGS = -4.5V -9.5 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

 9.2. Size:326K  analog power
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AM4410N

Analog Power AM4415PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)8.4 @ VGS = -4.5V -16 Low thermal impedance -2010.4 @ VGS = -2.5V -14 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI

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