TSF8N60M Todos los transistores

 

TSF8N60M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSF8N60M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSF8N60M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1268K  truesemi
 tsp8n60m tsf8n60m.pdf pdf_icon

TSF8N60M

TSP8N60M/TSF8N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 7.5A,600V,Max.RDS(on)=1.20 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

 8.1. Size:1169K  truesemi
 tsp8n65m tsf8n65m.pdf pdf_icon

TSF8N60M

TSP8N65M/TSF8N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 7.5A,650V,Max.RDS(on)=1.50 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 29nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

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History: IRLI3803PBF | SQ4532AEY | FDB0260N1007L | DMN2020LSN | STP60NF06LFP | IMZ120R350M1H

 

 
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