HFP50N06V Todos los transistores

 

HFP50N06V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP50N06V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO220

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HFP50N06V datasheet

 ..1. Size:617K  shantou-huashan
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HFP50N06V

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP50N06V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. DC/DC converters Low Power Switching mode power appliances. Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 60V(See Note), RDS(on)

 6.1. Size:292K  shantou-huashan
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HFP50N06V

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP50N06 APPLICATIONSL TO-220 Low Voltage high-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 175 1 G Tj Operating Junction Temperature 150 2 D PD Allowable Power Dissipation

 6.2. Size:368K  semihow
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HFP50N06V

Oct 2016 HFP50N06A / HFS50N06A 60V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 50 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 18 100% Avalanche Tested Qg, Typ 27 nC RoHS Compliant HFP50N06A HFS50N06A Symbol TO-220 TO-220F S S

Otros transistores... HFP15N06 , HFP17N10 , HFP2N60 , HFP30N06 , HFP45N06 , HFP4N60 , HFP4N65 , HFP50N06 , 50N06 , HFP5N80 , HFP60N06 , HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 .

History: LPM2301B3F | 2SK3496-01MR | SM4804DSK | SM2323PSA | JCS4N60CB | SM7340EHKP

 

 

 

 

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