HFP50N06V Todos los transistores

 

HFP50N06V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP50N06V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HFP50N06V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  shantou-huashan
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HFP50N06V

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP50N06VN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. DC/DC converters Low Power Switching mode power appliances. Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 60V(See Note), RDS(on)

 6.1. Size:292K  shantou-huashan
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HFP50N06V

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP50N06 APPLICATIONSL TO-220 Low Voltage high-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature-55~1751G Tj Operating Junction Temperature 1502D PD Allowable Power Dissipation

 6.2. Size:368K  semihow
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HFP50N06V

Oct 2016HFP50N06A / HFS50N06A60V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 50 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 18 100% Avalanche TestedQg, Typ 27 nC RoHS CompliantHFP50N06A HFS50N06ASymbolTO-220 TO-220FSS

Otros transistores... HFP15N06 , HFP17N10 , HFP2N60 , HFP30N06 , HFP45N06 , HFP4N60 , HFP4N65 , HFP50N06 , 50N06 , HFP5N80 , HFP60N06 , HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 .

History: 2SK636 | SCT2280KE | NCEP60T12AK

 

 
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