HFP70N03V Todos los transistores

 

HFP70N03V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP70N03V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0066 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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HFP70N03V Datasheet (PDF)

1.1. hfp70n03v.pdf Size:692K _shantou-huashan

HFP70N03V
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 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP70N03V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ Applications TO-220 • Portable Equipment. • LCD Display Inverter. • DC/DC converters • Other switching applications. 1- G 2-D 3-S █ Features • 50A, 30V(See Note), RDS(on) <6.6mVΩ@VGS = 10 V • Fast switching • 100% avalanche tested • Minimize

3.1. hfp70n06.pdf Size:849K _shantou-huashan

HFP70N03V
HFP70N03V

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP70N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ Applications TO-220 • Servo motor control. • Power MOSFET gate drivers. • DC/DC converters • Other switching applications. 1- G 2-D 3-S █ Features • 70A, 60V(See Note), RDS(on) <13mVΩ@VGS = 10 V • Fast switching • 100% avalanche tested • Min

 

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