STK1820F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK1820F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Encapsulados: TO220F
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STK1820F datasheet
stk1820f.pdf
STK1820F Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFET DC-DC CONVERTER APPLICATION HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS Features High Voltage BVDSS=200V(Min.) Low Crss Crss=22pF(Typ.) Low gate charge Qg=30nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=0.17 (Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK1820F STK1820 TO-220F-3L Outline Dim
Otros transistores... HFU70N03V , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR , AO4472 , AON6324 , SD2932 , IRF4905 , STP55NE06 , STP55NE06FP , SUD50N024-06P , SVF7N65T , SVF7N65F , AO3405 , AO3407G , AO3701 .
History: IXFN106N20 | NCEP1520K | VS6880AT | NCE60H10F | AO4916L | STD36NH02L | CS4N65A4R
History: IXFN106N20 | NCEP1520K | VS6880AT | NCE60H10F | AO4916L | STD36NH02L | CS4N65A4R
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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