AOI472A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOI472A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOI472A

AOI472A Datasheet (PDF)

..1. Size:158K aosemi
aoi472a.pdf

AOI472AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOI472A is fabricated with SDMOSTM trench VDS (V) =25Vtechnology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with (VGS = 10V)ID = 50Acontrolled switching behavior. This universal technology (VGS = 10V)RDS(ON)

9.1. Size:422K aosemi
aod478 aoi478.pdf

AOD478/AOI478100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOD478/AOI478 combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance package to ID (at VGS=10V) 11Aprovide extremely low RDS(ON). This device is ideal for RDS(ON) (at VGS=10V)

9.2. Size:422K aosemi
aoi478.pdf

9.3. Size:274K inchange semiconductor
aoi478.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI478FEATURESDrain Current I = 11A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: