AOK18N65L Todos los transistores

 

AOK18N65L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOK18N65L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 271 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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AOK18N65L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  aosemi
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AOK18N65L

AOK18N65650V,18A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS750V@150The AOK18N65 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 18Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:443K  aosemi
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AOK18N65L

AOK18N65650V,18A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS750V@150The AOK18N65 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 18Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:378K  inchange semiconductor
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AOK18N65L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK18N65FEATURESDrain Current I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.39(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Otros transistores... AOD4100 , AOD4104 , AOD4106 , AOD4110 , AOD4112 , AOI1N60L , AOI472A , AOI518 , HY1906P , AOK20N60L , AOK20S60L , AOK22N50L , AOK27S60L , AOK42S60L , AOL1206 , AOL1408 , AOL1412 .

History: AOW29S50 | UPA1792G

 

 
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