AOK18N65L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOK18N65L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 271 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
Encapsulados: TO247
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AOK18N65L datasheet
aok18n65l.pdf
AOK18N65 650V,18A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOK18N65 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 18A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)
aok18n65.pdf
AOK18N65 650V,18A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOK18N65 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 18A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)
aok18n65.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOK18N65 FEATURES Drain Current I = 18A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.39 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos
Otros transistores... AOD4100 , AOD4104 , AOD4106 , AOD4110 , AOD4112 , AOI1N60L , AOI472A , AOI518 , AOD4184A , AOK20N60L , AOK20S60L , AOK22N50L , AOK27S60L , AOK42S60L , AOL1206 , AOL1408 , AOL1412 .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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