AOK42S60L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOK42S60L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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AOK42S60L Datasheet (PDF)

..1. Size:269K aosemi
aok42s60l.pdf

AOK42S60TM600V 39A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOK42S60 has been fabricated using the advancedMOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 166Ahigh levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.099applications. Qg,typ 40nCBy providing low RDS(on), Qg and EOSS along with E

..2. Size:362K inchange semiconductor
aok42s60l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK42S60LFEATURESDrain Current I = 39A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 99m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgen

6.1. Size:269K aosemi
aok42s60.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: