AON3702 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON3702

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 4.7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 224 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0145 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN3X3

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AON3702 Datasheet (PDF)

1.1. aon3702.pdf Size:127K _aosemi

AON3702 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary VDS (V) = 30V SRFETTM AON3702 uses advanced trench ID =11A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON) < 14.5mΩ (VGS = 10V) charge. This device is suitable for use as a low side RDS(ON) < 18mΩ (VGS = 4.5V) FET in SMPS, load switc

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Liste

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