2SK1005 Todos los transistores

 

2SK1005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1005
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 110 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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2SK1005 Datasheet (PDF)

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2SK1005

FUJI POWER MOSFET2SK1007-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220ABLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS= 30V GuaranteeApplications Switching regulatorsUPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDEC TO-220ABEIAJ SC-46Equivalent circuit schematicMaxi

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 2sk104 2sk105 2sk162 2sk163 2sk193 2sk195 2sk505 2sk507 2sk514 2sk518 2sk519 2sk523 2sk533 2sk660 2sk997 2sk998 2sk1000 2sk1109.pdf pdf_icon

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 2sk1006-01mr.pdf pdf_icon

2SK1005

FUJI POWER MOSFET2SK1006-01MRN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETF- II SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh currentTO-220F15Low on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGSS= 30V GuaranteeApplications Switching regulators2.54UPS DC-DC converters3. SourceGeneral purpose power amplifierJEDECSC-67EIAJEquivalent circuit schematicMax

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History: HIRF740 | KDB2670 | DMTH6004SCTB | IRFSL3306PBF | SM1A02NSF | 2SK529

 

 
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