2SK1006 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1006

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 450 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 60* nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1006

2SK1006 Datasheet (PDF)

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1007 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 450V(Min) APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL

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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1008 DESCRIPTION ·Drain Current –I =4.5A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V = 500V(Min) DSS ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

4.8. 2sk932 2sk937 2sk968 2sk998 2sk1000.pdf Size:48K _no