2SK319 Todos los transistores

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2SK319 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK319

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.83 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK319

2SK319 Datasheet (PDF)

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Power MOSFETs 2SK3192 Silicon N-channel power MOSFET Unit: mm 15.0±0.3 5.0±0.2 ■ Features 11.0±0.2 (3.2) • Avalanche energy capability guaranteed • High-speed switching • Low ON resistance Ron φ 3.2±0.1 • No secondary breakdown ■ Applications 2.0±0.1 2.0±0.2 • PDP • Switching mode regulator 1.1±0.1 0.6±0.2 ■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C 5.45±

1.3. 2sk3199.pdf Size:43K _sanken-ele

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2SK3199 External dimensions 1 ...... FM20 Absolute Maximum Ratings Electrical Characteristics (Ta = 25?C) (Ta = 25?C) Ratings Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max V 500 V I = 100A, V = 0V (BR) DSS D GS V 500 V DSS I 100 nA V = 30V GSS GS V 30 V GSS I 100 A V = 500V, V = 0V DSS DS GS I 5A D V 2.0 3.0 4.0 V V = 10V, I = 1mA TH DS D I 20 A D (puls

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