2SK1009-01 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1009-01  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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2SK1009-01 datasheet

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2SK1009-01

 7.1. Size:200K  inchange semiconductor
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2SK1009-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1009 DESCRIPTION Drain Current I =7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 450V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 450 V DSS GS

 8.1. Size:245K  1
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2SK1009-01

FUJI POWER MOSFET 2SK1007-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET F- II SERIES Outline Drawings Features High current TO-220AB Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGSS= 30V Guarantee Applications Switching regulators UPS DC-DC converters 3. Source General purpose power amplifier JEDEC TO-220AB EIAJ SC-46 Equivalent circuit schematic Maxi

 8.2. Size:515K  1
 2sk104 2sk105 2sk162 2sk163 2sk193 2sk195 2sk505 2sk507 2sk514 2sk518 2sk519 2sk523 2sk533 2sk660 2sk997 2sk998 2sk1000 2sk1109.pdf pdf_icon

2SK1009-01

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