IRF9511 Todos los transistores

 

IRF9511 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9511
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF9511 Datasheet (PDF)

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 irf9510 irf9511 irf9512 irf9513.pdf pdf_icon

IRF9511

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PD- 95410IRF9510PbF Lead-Free06/15/04Document Number: 91072 www.vishay.com1IRF9510PbFDocument Number: 91072 www.vishay.com2IRF9510PbFDocument Number: 91072 www.vishay.com3IRF9510PbFDocument Number: 91072 www.vishay.com4IRF9510PbFDocument Number: 91072 www.vishay.com5IRF9510PbFDocument Number: 91072 www.vishay.com6IRF9510PbFDocument Number: 91

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History: IRFU9120 | 2SK2876-01MR | TPC8035-H | 2SK2530 | 2N5564 | RSF014N03TL | MTW8N50E

 

 
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