2SK1720 Todos los transistores

 

2SK1720 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1720
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FL
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK1720 Datasheet (PDF)

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2SK1720

Ordering number:EN3824N-Channel Silicon MOSFET2SK1729Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2087A Low-voltage drive.[2SK1729]2.5 Meets radial taping.1.456.9 1.00.60.9 0.51 2 30.451 : Source2 : Drain3 : Gate2.54 2.54SANYO : NMPSpecificationsAbsolute Maximum

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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