IRF9523 Todos los transistores

 

IRF9523 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9523
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 100(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF9523

 

IRF9523 Datasheet (PDF)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF9512 , IRF9513 , IRF9520 , IRF9520N , IRF9520NL , IRF9520NS , IRF9521 , IRF9522 , MDF11N65B , IRF9530 , IRF9530N , APT5015BLC , IRF9530NL , IRF9530NS , IRF9531 , IRF9532 , IRF9533 .

 

 
Back to Top

 


IRF9523   IRF9523   IRF9523  

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: FXN0507C | FXN0504D | FXN0503D | FXN0406H | FXN0704C | FXN0703D | FXN06S085C | FXN0607CN | FXN0603D | AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C

 

 

 
Back to Top