2SK1855 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1855 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO3PN

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de 2SK1855 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

2SK1855 datasheet

..1. Size:54K inchange semiconductor
2sk1855.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1855 DESCRIPTION Drain Current ID=12A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=500V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Switching power supply ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 V

8.1. Size:359K 1
2sk1853.pdf pdf_icon