2SK1855 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1855
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de 2SK1855 MOSFET
2SK1855 datasheet
2sk1855.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1855 DESCRIPTION Drain Current ID=12A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=500V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Switching power supply ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 V
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History: WMO25P04TS
History: WMO25P04TS
Liste
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