2SK1915 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1915
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
Encapsulados: TO220FL
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2SK1915 datasheet
2sk1917-mr.pdf
FUJI POWER MOSFET 2SK1917-MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET F-II SERIES Outline Drawings Features High speed switching TO-220F15 Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGS= 30V Guarantee Applications Switching regulators 2.54 UPS DC-DC converters 3. Source General purpose power amplifier JEDEC EIAJ SC-67 Equivalent circuit schematic Max
2sk1913.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1913 DESCRIPTION Drain Current ID= 4A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=600V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS High speed ,high current switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 600 V VGS Gate-Source V
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Liste
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