2SK894 Todos los transistores

 

2SK894 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK894

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 640 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.85 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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2SK894 Datasheet (PDF)

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isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK894 DESCRIPTION ·Drain Current –I =8A@ T =25℃ D C ·Drain Source Voltage- : V =500V(Min) DSS ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High voltage. ·high speed power Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

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