2SK897-M Todos los transistores

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2SK897-M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK897-M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 550 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 65* nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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2SK897-M Datasheet (PDF)

1.1. 2sk897-m.pdf Size:137K _update

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查询"2SK897M"供应商 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 查询"2SK897M"供应商 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 查询"2SK897M"供应商 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

5.1. 2sk893.pdf Size:59K _update

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK893 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·High voltage. ·high speed power Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 500 V DSS GS V G

5.2. 2sk891.pdf Size:53K _update

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 5.3. 2sk892.pdf Size:59K _update

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK892 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=2.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) APPLICATIONS ·Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor controls,relay and solenoid drivers. ABSOLUTE MAXIMUM R

5.4. 2sk890.pdf Size:87K _update

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www.DataSheet4U.com

 5.5. 2sk894.pdf Size:57K _update

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