2SK1021 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1021
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 2SK1021 MOSFET
2SK1021 Datasheet (PDF)
2sk1021.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1021DESCRIPTIONDrain Current I =3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta
Otros transistores... 2SK1012-01 , 2SK1014-01 , 2SK1015 , 2SK1015-01 , 2SK1016-01 , 2SK1017-01 , 2SK1018 , 2SK1020 , 8N60 , 2SK1022 , 2SK1023-01 , 2SK1024-01 , 2SK2023-01 , 2SK2027-01 , 2SK2100-01MR , 2SK2133-Z , 2SK2134-Z .
History: APT12031JFLL | OM6101ST | IRHMS57264SE | IPD040N03LG | APT22F120L | GSM4822S | IPB019N08N5
History: APT12031JFLL | OM6101ST | IRHMS57264SE | IPD040N03LG | APT22F120L | GSM4822S | IPB019N08N5



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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