2SK1022 Todos los transistores

 

2SK1022 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1022
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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2SK1022 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  inchange semiconductor
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2SK1022

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1022 DESCRIPTION Drain Current ID=2.5A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 900 V DSS GSV Gat

 8.1. Size:160K  fuji
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History: DMN53D0U | AFN1034 | P3710BD | AP10P10GJ | 17P10L-TN3-R | DMP2035UFDF | SVS60R190L8AD4TR

 

 
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