2SK2027-01 Todos los transistores

 

2SK2027-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2027-01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK2027-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  fuji
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 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
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2SK2027-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2027-01DESCRIPTIONDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUPSDC-DC convertersGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

 8.1. Size:145K  fuji
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2SK2027-01

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History: AFP4535 | IPP320N20N3G | AM4407PE | RU82100R | BSS138LT1 | IRHMK57260SE | BSS138DW

 

 
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