2SK2027-01 Todos los transistores

 

2SK2027-01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2027-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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2SK2027-01 datasheet

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2SK2027-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2027-01 DESCRIPTION Drain Current I = 8A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators UPS DC-DC converters General purpose power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

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2SK2027-01

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History: TPM2008EP3 | SGSP321 | STT3463P | FTP18N06 | AGM60P85AP | SGS150MA010D1

 

 

 

 

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