2SK568 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK568
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Encapsulados: TO3PBL
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2SK568 datasheet
2sk560.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK560 DESCRIPTION Drain Current I =15A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies
Otros transistores... 2SK529 , 2SK552 , 2SK553 , 2SK554 , 2SK555 , 2SK556 , 2SK557 , 2SK565 , 4N60 , 2SK596S-B , 2SK528 , 2SK735 , 2SK738-Z , 2SK762 , 2SK762A , 2SK764 , 2SK764A .
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Liste
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