2SK568 Todos los transistores

 

2SK568 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK568

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO3PBL

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2SK568 datasheet

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2SK568

"MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1"

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2SK568

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2SK568

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK560 DESCRIPTION Drain Current I =15A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies

Otros transistores... 2SK529 , 2SK552 , 2SK553 , 2SK554 , 2SK555 , 2SK556 , 2SK557 , 2SK565 , 4N60 , 2SK596S-B , 2SK528 , 2SK735 , 2SK738-Z , 2SK762 , 2SK762A , 2SK764 , 2SK764A .

 

 

 


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MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E

 

 

 

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