IRF9611 Todos los transistores

 

IRF9611 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9611
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF9611 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:447K  international rectifier
 irf9610 irf9611 irf9612 irf9613.pdf pdf_icon

IRF9611

 ..2. Size:286K  samsung
 irf9610 irf9611.pdf pdf_icon

IRF9611

 8.1. Size:1337K  international rectifier
 irf9610pbf.pdf pdf_icon

IRF9611

PD- 95413IRF9610PbF Lead-Freewww.irf.com 106/15/04IRF9610PbF2 www.irf.comIRF9610PbFwww.irf.com 3IRF9610PbF4 www.irf.comIRF9610PbFwww.irf.com 5IRF9610PbF6 www.irf.comIRF9610PbFwww.irf.com 7IRF9610PbFTO-220AB Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)10.54 (.415) - B -3.78 (.149)10.29 (.405)2.87 (.113) 4.69 (.185)3.54 (.13

 8.2. Size:161K  international rectifier
 irf9610.pdf pdf_icon

IRF9611

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History: IRF9530NL | IRF9531 | FDP038AN06A0 | IRF9541

 

 
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