2SK768 Todos los transistores

 

2SK768 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK768

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 70* nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK768

 

2SK768 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk768.pdf Size:62K _update

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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK768 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RA

5.1. 2sk762 2sk762a.pdf Size:68K _update

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5.2. 2sk769.pdf Size:62K _update

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 5.3. 2sk764 2sk764a.pdf Size:64K _update

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5.4. 2sk765-a.pdf Size:145K _update

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