2SK768 Todos los transistores

 

2SK768 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK768
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 70 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK768 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  inchange semiconductor
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2SK768

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK768DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, conve

 9.1. Size:145K  panasonic
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2SK768

"2SK765""2SK765"

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 9.3. Size:68K  panasonic
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2SK768

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRFP141 | 40819 | SWP090R08ET | 2SK2329S | WM05P02G | MMN400A010U1 | JCS2N60MFB

 

 
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