2SK1261 Todos los transistores

 

2SK1261 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1261
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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2SK1261 Datasheet (PDF)

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2SK1261

Power F-MOS FETs 2SK12672SK1267Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features 15.0 0.5 4.5 0.2Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on)1= 0.07(typ)13.0 0.5High-speed switching : tf =180ns(typ)10.5 0.5 2.0 0.1No secondary breakdownLarge allowable power dissipationLow-voltage drive3.2 0.1 Applications2.0 0.21.4 0.31.1 0.1 DC-DC converterNon-

 8.2. Size:33K  panasonic
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2SK1261

Power F-MOS FETs 2SK12662SK1266Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features10.0 0.2 4.2 0.2Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on)1= 0.08(typ)5.5 0.2 2.7 0.2High-speed switching : tf=180ns(typ)No secondary breakdown3.1 0.1Low-voltage drive Applications1.3 0.2DC-DC converter1.4 0.1Non-contact relay+0.20.5 -0.10.8 0.1Solenoid driveMoto

 8.3. Size:148K  hitachi
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History: SWN4N70L | F6F70HVX2 | FDS4685-NL | TPM7002ER3 | HM70N80A | HGP088N15S | RSQ015N06TR

 

 
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