2SK1268 Todos los transistores

 

2SK1268 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1268
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PFM
 

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2SK1268 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  hitachi
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 8.1. Size:34K  panasonic
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2SK1268

Power F-MOS FETs 2SK12672SK1267Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features 15.0 0.5 4.5 0.2Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on)1= 0.07(typ)13.0 0.5High-speed switching : tf =180ns(typ)10.5 0.5 2.0 0.1No secondary breakdownLarge allowable power dissipationLow-voltage drive3.2 0.1 Applications2.0 0.21.4 0.31.1 0.1 DC-DC converterNon-

 8.2. Size:33K  panasonic
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2SK1268

Power F-MOS FETs 2SK12662SK1266Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features10.0 0.2 4.2 0.2Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on)1= 0.08(typ)5.5 0.2 2.7 0.2High-speed switching : tf=180ns(typ)No secondary breakdown3.1 0.1Low-voltage drive Applications1.3 0.2DC-DC converter1.4 0.1Non-contact relay+0.20.5 -0.10.8 0.1Solenoid driveMoto

 8.3. Size:143K  panasonic
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History: HGP024N08S | BRB10N65 | SLP10N65C | FDZ7296 | HAF1002S | FDS6673AZ | BUK9K20-80E

 

 
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