2SK484 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK484
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK484
2SK484 Datasheet (PDF)
2sk484.pdf
Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su
Otros transistores... 2SK4145-S19-AY , 2SK4146-S19-AY , 2SK4147 , 2SK4161D , 2SK422 , 2SK425 , 2SK433 , 2SK448 , IRFB4227 , 2SK490 , 2SK1030A , 2SK1032 , 2SK1032A , 2SK1038 , 2SK1039 , 2SK1040 , 2SK1059-Z .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918