2SK1032A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1032A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: TO3P

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2SK1032A datasheet

 ..1. Size:69K  fuji
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2SK1032A

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2SK1032A

Power F-MOS FETs 2SK1033 2SK1033 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 10.0 0.2 4.2 0.2 Low ON-resistance RDS(on) RDS(on) = 0.45 (typ) 5.5 0.2 2.7 0.2 High-speed switching tf =180ns(typ) No secondary breakdown 3.1 0.1 Low-voltage drive Applications DC-DC converter 1.3 0.2 1.4 0.1 Non-contact relay +0.2 0.5 -0.1 Solenoid drive 0.8 0.1 Mot

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2SK1032A

Power F-MOS FETs 2SK1036 2SK1036 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 10.0 0.2 4.2 0.2 Low ON-resistance RDS(on) RDS(on)= 0.23 (typ) 5.5 0.2 2.7 0.2 High-speed switching tf = 80ns(typ) No secondary breakdown 3.1 0.1 Applications DC-DC converter 1.3 0.2 Non-contact relay 1.4 0.1 Solenoid drive +0.2 0.5 -0.1 0.8 0.1 Motor drive 2.54 0.

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2SK1032A

Power F-MOS FETs 2SK1035 2SK1035 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 10.0 0.2 4.2 0.2 Low ON-resistance RDS(on) RDS(on)= 0.2 (typ) 5.5 0.2 2.7 0.2 High-speed switching tf = 100ns(typ) No secondary breakdown 3.1 0.1 Low-voltage drive Applications DC-DC converter 1.3 0.2 1.4 0.1 Non-contact relay +0.2 0.5 -0.1 Solenoid drive 0.8 0.1 Motor

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